來源（yuán）：挖貝網

據日本經濟新聞報道，在近期召開的半導體集成電路的（de）頂級國際會議“ISSCC 2025”上，來自中國的論文占到所有收錄論文數量的近40%，達92篇，約為排名第二的美（měi）國的1.7倍。

據了解，ISSCC是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的縮寫，是世界學術界和企業界公認的集成電路設（shè）計領（lǐng）域最高級別會（huì）議，被認為是集成電路設計領域的“世界奧林匹克大會”。

此次會議期間，投稿論文數為914篇，為史上最高。但收錄論文數量僅為246篇（piān），收錄率約為27%，未（wèi）達過去的平均收錄率（30%）。其中，來自中國的收錄（lù）論文有92篇，約（yuē）占總數的37%；美（měi）國、韓國分列第二（èr）和第三位，收錄論文數量分別為55篇和44篇。

分機構來（lái）看，我國北（běi）京大學和我國澳門大學被收錄的論文最多，均為15篇。排在第（dì）3位的是清華大學，共有13篇，我國大學壟斷了收錄論（lùn）文（wén）數量的前（qián）3名。

模擬芯片領域論文占優 數字芯片領域仍需努力

雖然在此次ISSCC上，中國半導體論文收錄數量全球第一，是美國1.7倍，但依舊有一點不足，即：我國（guó）論文（wén）隻在模擬芯（xīn）片（處理模（mó）擬信（xìn）號的芯片，主要包括（kuò）電源管（guǎn）理芯片、射頻芯片等）領域占優，但在需要先進製（zhì）程的數字芯片（CPU、GPU、存儲（chǔ）芯片等都屬於數字芯片）領域，依舊有很長（zhǎng）的路要走。

日本信州（zhōu）大學的宮地教授表示，中國在“無需依賴最先進的製程技術，而是以電（diàn）路設計創意取勝的領域（yù）”表現突出。在電（diàn）源電路、RF（無線射頻）電路等模擬電路相關領域，中國研究人員發表的論文占據多數，在相關學術會議的多個專題中占據主導地位。

另一方麵，在處理器、DRAM、NAND型閃存（cún）等需要最先進製程技術的（de）領域，中國的影響力相對較弱。例如，在存儲半導體領域，沒有一（yī）篇來自中國的關於DRAM和NAND的論文被收（shōu）錄。這背後（hòu）的原因之一是美國主導的對華出（chū）口管製政策，包括（kuò）EUV（極紫外）光刻機對中國的出口禁令。